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DMTH6010SCT  与  IPP80N08S2L07AKSA1  区别

型号 DMTH6010SCT IPP80N08S2L07AKSA1
唯样编号 A-DMTH6010SCT A-IPP80N08S2L07AKSA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 300W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 2.8W(Ta),125W(Tc) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 7.2mΩ@20A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1940 pF @ 30 V 5400pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 36.3 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A(Tc) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 233nC @ 10V
驱动电压 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 7.1 毫欧 @ 80A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 80A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 75V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH6010SCT Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
STP80N6F6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 13,950 对比
STP140NF75 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220

暂无价格 5,400 对比
STP80N6F6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥4.5441 

阶梯数 价格
20: ¥4.5441
100: ¥3.6333
1,000: ¥3.366
1,887 对比
STP110N7F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

暂无价格 2 对比
IPP80N08S2L07AKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP80N08S2L-07_TO-220-3

暂无价格 0 对比

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