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DMTH6009LK3-13  与  IRFR1018EPBF  区别

型号 DMTH6009LK3-13 IRFR1018EPBF
唯样编号 A-DMTH6009LK3-13 A-IRFR1018EPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 14.2A Single N-Channel 60 V 110 W 46 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 10mΩ@13.5A,10V 8.4mΩ@47A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 3.2W(Ta),60W(Tc) 110W(Tc)
栅极电压Vgs ±16V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DPAK D-Pak
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 14.2A 79A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA 4V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1925pF @ 30V 2290pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 33.5nC @ 10V 69nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2290pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 69nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH6009LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 当前型号
IRFR1018EPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

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