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DMTH6005LPSQ-13  与  BSC076N06NS3GATMA1  区别

型号 DMTH6005LPSQ-13 BSC076N06NS3GATMA1
唯样编号 A-DMTH6005LPSQ-13 A-BSC076N06NS3GATMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060 MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
数据表
RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta),69W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 3.2W(Ta),150W(Tc) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 5.5mΩ@50A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2962 pF @ 30 V 4000pF @ 30V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 47.1 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI5060-8 8-PowerTDFN
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 20.6A(Ta),100A(Tc) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 35uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 50nC @ 10V
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 7.6 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 50A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH6005LPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI5060-8

暂无价格 0 当前型号
BSC076N06NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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