首页 > 商品目录 > > > DMTH6005LK3Q-13代替型号比较

DMTH6005LK3Q-13  与  RD3L08BGNTL  区别

型号 DMTH6005LK3Q-13 RD3L08BGNTL
唯样编号 A-DMTH6005LK3Q-13 A33-RD3L08BGNTL-0
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-2
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2.1W(Ta),100W(Tc) 119W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 5.6mΩ@50A,10V 5.5mOhms@80A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2962 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±20V 2.5V@100uA
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 47.1 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃~175℃(TJ) 150℃(TJ)
连续漏极电流Id 90A(Tc) 80A(Tc)
驱动电压 4.5V,10V -
Vgs(最大值) - ±20V
栅极电荷Qg - 71nC@10V
库存与单价
库存 0 1,885
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
5+ :  ¥33.6439
10+ :  ¥18.5037
50+ :  ¥16.6543
100+ :  ¥13.2142
500+ :  ¥11.8918
1,000+ :  ¥11.2977
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH6005LK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
RD3L08BGNTL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥33.6439 

阶梯数 价格
5: ¥33.6439
10: ¥18.5037
50: ¥16.6543
100: ¥13.2142
500: ¥11.8918
1,000: ¥11.2977
1,885 对比
RD3L08BGNTL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥33.6439 

阶梯数 价格
5: ¥33.6439
10: ¥18.5037
50: ¥16.6543
100: ¥13.2142
500: ¥11.8918
1,000: ¥11.2977
1,387 对比
IRFR1010ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
DMTH6005LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
IPD90N06S4-07 Infineon  数据手册 通用MOSFET

IPD90N06S407ATMA2_DPAK(TO-252)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售