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DMTH6004SPSQ-13  与  BSC028N06NSATMA1  区别

型号 DMTH6004SPSQ-13 BSC028N06NSATMA1
唯样编号 A-DMTH6004SPSQ-13 A-BSC028N06NSATMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta),83W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2700pF @ 30V
FET类型 - N 通道
封装/外壳 PowerDI5060-8 8-PowerTDFN
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.8V @ 50uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 37nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 2.8 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 23A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH6004SPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

PowerDI5060-8

暂无价格 0 当前型号
BSC028N06NSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC028N06NS_8-PowerTDFN

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DMTH6004SPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI5060-8

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BSC028N06NSTATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-PowerTDFN

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