首页 > 商品目录 > > > DMTH6004SPS-13代替型号比较

DMTH6004SPS-13  与  BSC034N06NSATMA1  区别

型号 DMTH6004SPS-13 BSC034N06NSATMA1
唯样编号 A-DMTH6004SPS-13 A-BSC034N06NSATMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060 MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta),74W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 2.1W(Ta),167W(Tc) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 3.1mΩ@50A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4556 pF @ 30 V 3000pF @ 30V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 95.4 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI5060-8 8-PowerTDFN
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 25A(Ta),100A(Tc) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.3V @ 41uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 41nC @ 10V
驱动电压 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3.4 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 100A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH6004SPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI5060-8

暂无价格 0 当前型号
BSC028N06LS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC028N06LS3 G_8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
BSC034N06NSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC034N06NS_8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
BSC028N06LS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC028N06LS3GATMA1_5.9mm PG-TDSON-8-1

暂无价格 0 对比
DMTH6004SPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

PowerDI5060-8

暂无价格 0 对比
DMTH6004SPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

PowerDI5060-8

¥4.0892 

阶梯数 价格
2,500: ¥4.0892
12,500: ¥3.7863
0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售