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DMTH6004SCTBQ-13  与  AOB262L  区别

型号 DMTH6004SCTBQ-13 AOB262L
唯样编号 A-DMTH6004SCTBQ-13 A-AOB262L
制造商 Diodes Incorporated AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A TO263AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.8 mΩ @ 20A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 4.7W(Ta),136W(Tc) 2.1W(Ta),333W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 3.4mΩ@100A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4556 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 95.4 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-263 TO-263(D?Pak)
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A(Tc) 20A(Ta),140A(Tc)
驱动电压 10V -
栅极电荷Qg - 115nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH6004SCTBQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-263

暂无价格 0 当前型号
BUK963R3-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK963R3-60E_SOT404

¥13.3862 

阶梯数 价格
210: ¥13.3862
400: ¥11.3442
800: ¥10.4075
4,800 对比
PSMN004-60B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

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¥11.8159 

阶梯数 价格
210: ¥11.8159
400: ¥10.0135
800: ¥9.1867
0 对比
PSMN3R0-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN3R0-60BS_SOT404

¥13.2728 

阶梯数 价格
210: ¥13.2728
400: ¥11.2481
800: ¥10.3194
0 对比
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