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DMTH6004SCTB-13  与  IRFS3206PBF  区别

型号 DMTH6004SCTB-13 IRFS3206PBF
唯样编号 A-DMTH6004SCTB-13 A-IRFS3206PBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A TO263AB Single N-Channel 60 V 300 W 120 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 4.7W(Ta),136W(Tc) 300W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 3.4mΩ@100A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4556 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 95.4 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-263 D2PAK
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A(Tc) 210A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 50V
驱动电压 10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6540pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6540pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH6004SCTB-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-263

暂无价格 0 当前型号
BUK963R3-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK963R3-60E_SOT404

¥13.3862 

阶梯数 价格
210: ¥13.3862
400: ¥11.3442
800: ¥10.4075
4,800 对比
IRF1405PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 1,000 对比
IRFS7734 Infineon  数据手册 通用MOSFET

D2PAK(TO-263)

暂无价格 0 对比
DMTH6004SCTBQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-263

暂无价格 0 对比
IRFS3206PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比

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