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DMTH6002LPS-13  与  FDMS86500L  区别

型号 DMTH6002LPS-13 FDMS86500L
唯样编号 A-DMTH6002LPS-13 A-FDMS86500L
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 2.5W(Ta),104W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.5 毫欧 @ 25A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 167W 2.5W(Ta),104W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 2mΩ@50A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 6555 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 130.8 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI5060-8(K 类) Power
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A(Tc) 25A
系列 - PowerTrench®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 30V
驱动电压 6V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 12530pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 165nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 12530pF @ 30V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 165nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH6002LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI5060-8(K类)

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FDMS86500L ON Semiconductor 功率MOSFET

8-PowerTDFN Power

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