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DMTH4008LPS-13  与  DMTH4008LPSQ-13  区别

型号 DMTH4008LPS-13 DMTH4008LPSQ-13
唯样编号 A-DMTH4008LPS-13 A-DMTH4008LPSQ-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V PWRDI5060 MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerDI5060-8 PowerDI5060-8
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55℃~175℃(TJ)
连续漏极电流Id 14.4A(Ta),64.8A(Tc) 14.4A(Ta),64.8A(Tc)
驱动电压 5V,10V 5V,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 2.99W(Ta),55.5W(Tc) 2.99W(Ta),55.5W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 8.8mΩ@10A,10V 8.8mΩ@10A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1088 pF @ 20 V 1088 pF @ 20 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 15.3 nC @ 10 V 15.3 nC @ 10 V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH4008LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI5060-8

暂无价格 0 当前型号
DMTH4008LPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI5060-8

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