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DMTH4007LPSQ-13  与  IPZ40N04S5L7R4ATMA1  区别

型号 DMTH4007LPSQ-13 IPZ40N04S5L7R4ATMA1
唯样编号 A-DMTH4007LPSQ-13 A-IPZ40N04S5L7R4ATMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060 MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 34W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 2.7W(Ta),150W(Tc) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 6.5mΩ@20A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1895 pF @ 30 V 920pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 29.1 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI5060-8 8-PowerVDFN
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 15.5A(Ta),100A(Tc) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 10uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 17nC @ 10V
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 7.4 毫欧 @ 20A,10V
Vgs(最大值) - ±16V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 40A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 40V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH4007LPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI5060-8

暂无价格 0 当前型号
CSD18504Q5A TI  数据手册 通用MOSFET

8-PowerTDFN

¥5.7685 

阶梯数 价格
1: ¥5.7685
25: ¥5.3412
100: ¥4.9455
200 对比
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPZ40N04S5L-7R4_8-PowerVDFN

暂无价格 0 对比
DMTH4007LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI5060-8

暂无价格 0 对比

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