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DMTH10H015SPS-13  与  DMTH10H015SPSQ-13  区别

型号 DMTH10H015SPS-13 DMTH10H015SPSQ-13
唯样编号 A-DMTH10H015SPS-13 A-DMTH10H015SPSQ-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerDI5060-8 PowerDI5060-8
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55℃~175℃(TJ)
连续漏极电流Id 8.4A(Ta),50.5A(Tc) 8.4A(Ta),50.5A(Tc)
驱动电压 6V,10V 6V,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 1.5W(Ta),55W(Tc) 1.5W(Ta),55W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 14.5mΩ@20A,10V 14.5mΩ@20A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2343 pF @ 50 V 2343 pF @ 50 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 30.1 nC @ 10 V 30.1 nC @ 10 V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH10H015SPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI5060-8

暂无价格 0 当前型号
DMTH10H015SPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI5060-8

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