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DMTH10H009LPS-13  与  BSC070N10LS5ATMA1  区别

型号 DMTH10H009LPS-13 BSC070N10LS5ATMA1
唯样编号 A-DMTH10H009LPS-13 A-BSC070N10LS5ATMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 MOSFET N-CH 100V 14A/79A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta),83W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 1.5W(Ta),125W(Tc) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 8mΩ@20A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2309 pF @ 50 V 2700pF @ 50V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 40.2 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI5060-8 8-PowerTDFN
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 14A(Ta),100A(Tc) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.3V @ 49uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20nC @ 4.5V
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 7 毫欧 @ 40A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 14A(Ta),79A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 100V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH10H009LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI5060-8

暂无价格 0 当前型号
BSC070N10LS5ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比

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