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DMTH10H005LCT  与  IPP052N08N5AKSA1  区别

型号 DMTH10H005LCT IPP052N08N5AKSA1
唯样编号 A-DMTH10H005LCT A-IPP052N08N5AKSA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 125W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 187W(Tc) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 5mΩ@13A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3688 pF @ 50 V 3770pF @ 40V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 114 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 140A(Tc) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.8V @ 66uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 53nC @ 10V
驱动电压 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 5.2 毫欧 @ 80A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 80A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
漏源电压(Vdss) - 80V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH10H005LCT Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
STP150N10F7 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 17,000 对比
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TO-220-3

暂无价格 1,000 对比
STP150N10F7 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥8.47 

阶梯数 价格
6: ¥8.47
75 对比
STP150N10F7 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
IPP052N08N5AKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP052N08N5_TO-220-3

暂无价格 0 对比

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