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DMT8008LFG-7  与  DMT8008LFG-13  区别

型号 DMT8008LFG-7 DMT8008LFG-13
唯样编号 A-DMT8008LFG-7 A-DMT8008LFG-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 16A PWRDI3333 MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerDI3333-8 -
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -
连续漏极电流Id 16A(Ta),48A(Tc) -
驱动电压 4.5V,10V -
漏源极电压Vds 80V -
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta),23.5W(Tc) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 6.9mΩ@20A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2254 pF @ 40 V -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 37.7 nC @ 10 V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT8008LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 当前型号
DMT8008LFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

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