首页 > 商品目录 > > > DMT6017LSS-13代替型号比较

DMT6017LSS-13  与  DMT6016LSS-13  区别

型号 DMT6017LSS-13 DMT6016LSS-13
唯样编号 A-DMT6017LSS-13 A3-DMT6016LSS-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO DMT6016 Series 60 V 9.2 A 18 mOhm N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 18mΩ
上升时间 - 5.2ns
Qg-栅极电荷 - 17nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 864 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±20V 1V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 17 nC @ 10 V -
封装/外壳 8-SO SO
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 9.2A(Ta) 9.2A
配置 - Single
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 - 7ns
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 1.5W(Ta) 2.1W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 18mΩ@10A,10V -
典型关闭延迟时间 - 13ns
FET类型 N-Channel -
系列 - DMT60
通道数量 - 1Channel
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 864pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 17nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 3.4ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT6017LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

暂无价格 0 当前型号
DMT6016LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

¥2.09 

阶梯数 价格
30: ¥2.09
100: ¥1.606
1,250: ¥1.408
2,500: ¥1.32
6,305 对比
DMT6016LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

暂无价格 0 对比
DMT6016LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售