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DMT6015LFV-13  与  CSD18543Q3AT  区别

型号 DMT6015LFV-13 CSD18543Q3AT
唯样编号 A-DMT6015LFV-13 A32-CSD18543Q3AT
制造商 Diodes Incorporated TI
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 66W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 15.6 毫欧 @ 12A,4.5V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2.2W(Ta),30W(Tc) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 16mΩ@10A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1103 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±16V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 18.9 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI3333-8(UX 类) 8-PowerVDFN
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 9.5A(Ta),35A(Tc) 12A(Ta),60A(Tc)
驱动电压 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.7V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1150pF @ 30V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14.5nC @ 10V
库存与单价
库存 0 4,250
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥1.9634
25+ :  ¥1.8699
100+ :  ¥1.7808
250+ :  ¥1.696
500+ :  ¥1.6536
1,000+ :  ¥1.6123
2,500+ :  ¥1.5719
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT6015LFV-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8(UX类)

暂无价格 0 当前型号
CSD18543Q3AT TI  数据手册 通用MOSFET

8-PowerVDFN

¥1.9634 

阶梯数 价格
1: ¥1.9634
25: ¥1.8699
100: ¥1.7808
250: ¥1.696
500: ¥1.6536
1,000: ¥1.6123
2,500: ¥1.5719
4,250 对比
AON6248 AOS 功率MOSFET

8-DFN(5x6)

暂无价格 0 对比
DMT6015LFV-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8(UX类)

暂无价格 0 对比
DMT6015LFV-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8(UX类)

暂无价格 0 对比

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