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DMT4004LPS-13  与  BSC026N04LS  区别

型号 DMT4004LPS-13 BSC026N04LS
唯样编号 A-DMT4004LPS-13 A-BSC026N04LS
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 26A PWRDI5060
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.1mΩ
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 2.6W(Ta),138W(Tc) 63W
Qg-栅极电荷 - 45nC
RdsOn(Max)@Id,Vgs 2.5mΩ@50A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4508 pF @ 20 V -
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 85S
典型关闭延迟时间 - 37ns
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 82.2 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI5060-8 -
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 26A(Ta),90A(Tc) 100A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS5
驱动电压 4.5V,10V -
长度 - 5.9mm
下降时间 - 4ns
典型接通延迟时间 - 5ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT4004LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI5060-8

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