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DMT3006LFG-13  与  IRFH8330TRPBF  区别

型号 DMT3006LFG-13 IRFH8330TRPBF
唯样编号 A-DMT3006LFG-13 A-IRFH8330TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6.6mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 27.8W(Tc) 3.3W(Ta),35W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 6mΩ@12A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1320 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 22.6 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI3333-8 PQFN(5x6)
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 16A(Ta),55.6A(Tc) 17A
系列 - HEXFET®
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1450pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1450pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT3006LFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 当前型号
AON7380 AOS  数据手册 功率MOSFET

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¥0.5755 

阶梯数 价格
5,000: ¥0.5755
55,000 对比
AON7380 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

¥1.155 

阶梯数 价格
50: ¥1.155
100: ¥0.7711
1,250: ¥0.6424
2,500: ¥0.5698
15,827 对比
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DFN3x3EP

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IRFH8330TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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