首页 > 商品目录 > > > DMT3004LFG-13代替型号比较

DMT3004LFG-13  与  RQ3E150BNTB  区别

型号 DMT3004LFG-13 RQ3E150BNTB
唯样编号 A-DMT3004LFG-13 A33-RQ3E150BNTB
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5.3mΩ@15A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.1W(Ta),42W(Tc) 2W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 4.5mΩ@20A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2370 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs +20V,-16V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 44 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI3333-8 8-PowerVDFN
工作温度 -55℃~150℃(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10.4A(Ta),25A(Tc) 15A(Ta)
驱动电压 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3000pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 45nC @ 10V
库存与单价
库存 0 2,860
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
70+ :  ¥2.3382
100+ :  ¥1.9069
500+ :  ¥1.9069
1,000+ :  ¥1.9069
2,000+ :  ¥1.8974
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT3004LFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 当前型号
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

¥2.475 

阶梯数 价格
30: ¥2.475
100: ¥1.991
750: ¥1.76
1,500: ¥1.661
2,991 对比
AON6362 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

¥3.8462 

阶梯数 价格
1: ¥3.8462
100: ¥3.0612
1,000: ¥2.2059
1,500: ¥1.8987
3,000: ¥1.5
2,987 对比
RQ3E150BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

¥2.3382 

阶梯数 价格
70: ¥2.3382
100: ¥1.9069
500: ¥1.9069
1,000: ¥1.9069
2,000: ¥1.8974
2,860 对比
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

¥2.5681 

阶梯数 价格
60: ¥2.5681
100: ¥2.2902
500: ¥2.2902
1,000: ¥2.2807
2,000: ¥2.2711
2,775 对比
RQ3E150BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

暂无价格 200 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售