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DMT12H090LFDF4-7  与  DMT12H090LFDF4-13  区别

型号 DMT12H090LFDF4-7 DMT12H090LFDF4-13
唯样编号 A-DMT12H090LFDF4-7 A-DMT12H090LFDF4-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 X2-DFN2020-6 X2-DFN2020-6
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 3.4A(Ta) 3.4A(Ta)
驱动电压 3V,10V 3V,10V
漏源极电压Vds 115V 115V
Pd-功率耗散(Max) 900mW(Ta) 900mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 90mΩ@3.5A,10V 90mΩ@3.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 251 pF @ 50 V 251 pF @ 50 V
栅极电压Vgs ±12V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 6 nC @ 10 V 6 nC @ 10 V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT12H090LFDF4-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

X2-DFN2020-6

暂无价格 0 当前型号
DMT12H090LFDF4-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

X2-DFN2020-6

暂无价格 0 对比

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