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DMT10H015LCG-13  与  IRFH7110TRPBF  区别

型号 DMT10H015LCG-13 IRFH7110TRPBF
唯样编号 A-DMT10H015LCG-13 A-IRFH7110TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7110TRPBF, 58 A, Vds=100 V, 8引脚 PQFN封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 13.5mΩ
引脚数目 - 8
最小栅阈值电压 - 2V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1871 pF @ 50 V -
栅极电压Vgs ±20V -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 33.3 nC @ 10 V -
封装/外壳 V-DFN3333-8 -
工作温度 -55℃~155℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 9.4A(Ta),34A(Tc) 58A
长度 - 5.85mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
正向二极管电压 - 1.3V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3240pF @ 25V
高度 - 1.17mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 22 ns
漏源极电压Vds 100V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) 104W
晶体管配置 -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 15mΩ@20A,10V -
FET类型 N-Channel -
系列 - HEXFET
驱动电压 4.5V,10V -
典型接通延迟时间 - 11 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 87nC @ 10V
正向跨导 - 74S
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT10H015LCG-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

V-DFN3333-8

暂无价格 0 当前型号
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