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DMT10H014LSS-13  与  FDS3572  区别

型号 DMT10H014LSS-13 FDS3572
唯样编号 A-DMT10H014LSS-13 A-FDS3572
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO N-Channel 80 V 16 mOhm 2.5 W Surface Mount PowerTrench MosFet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 16m Ohms@8.9A,10V
漏源极电压Vds 100V 80V
Pd-功率耗散(Max) 1.2W(Ta) 2.5W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 15mΩ@20A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1871 pF @ 50 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 33.3 nC @ 10 V -
封装/外壳 8-SO 8-SOIC
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 8.9A(Ta) 8.9A
系列 - PowerTrench®
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1990pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 41nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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