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DMP6023LFG-7  与  DMP6023LFG-13  区别

型号 DMP6023LFG-7 DMP6023LFG-13
唯样编号 A-DMP6023LFG-7 A-DMP6023LFG-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 60V 7.7A POWERDI3333 MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 3.3mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 25mΩ@5A,10V -
上升时间 7.1ns -
Qg-栅极电荷 53.1nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2569 pF @ 30 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 53.1 nC @ 10 V
封装/外壳 PowerDI3333-8 PowerDI3333-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 7.7A 7.7A(Ta)
配置 Single -
长度 3.3mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 62ns -
高度 0.80mm -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 1W 1W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 25mΩ@5A,10V
典型关闭延迟时间 110ns -
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 DMP60 -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2569pF @ 30V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 53.1nC @ 10V -
典型接通延迟时间 6ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP6023LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

PowerDI3333-8 3.3mm

暂无价格 0 当前型号
DMP6023LFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

PowerDI3333-8

¥2.398 

阶梯数 价格
30: ¥2.398
100: ¥1.914
750: ¥1.716
1,500: ¥1.617
3,000: ¥1.54
3,106 对比
DMP6023LFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 对比

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