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DMP6023LFG-13  与  DMP6023LFG-7  区别

型号 DMP6023LFG-13 DMP6023LFG-7
唯样编号 A-DMP6023LFG-13 A3-DMP6023LFG-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 MOSFET P-CH 60V 7.7A POWERDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 3.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 25mΩ@5A,10V
上升时间 - 7.1ns
Qg-栅极电荷 - 53.1nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2569 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 53.1 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI3333-8 PowerDI3333-8
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 7.7A(Ta) 7.7A
配置 - Single
长度 - 3.3mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 - 62ns
高度 - 0.80mm
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) 1W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 25mΩ@5A,10V -
典型关闭延迟时间 - 110ns
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 - DMP60
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2569pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 53.1nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 6ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP6023LFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 当前型号
DMP6023LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

PowerDI3333-8 3.3mm

¥2.607 

阶梯数 价格
20: ¥2.607
100: ¥2.013
1,000: ¥1.749
2,000: ¥1.65
8,661 对比
DMP6023LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

PowerDI3333-8 3.3mm

暂无价格 0 对比
DMP6023LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

PowerDI3333-8 3.3mm

暂无价格 0 对比

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