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DMP3056LDMQ-7  与  DMP3056LDM-7  区别

型号 DMP3056LDMQ-7 DMP3056LDM-7
唯样编号 A-DMP3056LDMQ-7 A3-DMP3056LDM-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R P Channel 30 V 65 mO 1.5 W 10.1 nC Surface Mount Power MosFet - SOT-26
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 45mΩ@5A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta) 1.25W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 45mΩ@5A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 948 pF @ 25 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 21.1 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT-26 SOT-26
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.3A(Ta) 4.3A
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 948pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 21.1nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP3056LDMQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-26

暂无价格 0 当前型号
DMP3056LDM-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-26

¥0.6084 

阶梯数 价格
90: ¥0.6084
200: ¥0.3926
1,500: ¥0.3406
3,000: ¥0.3016
9,000 对比
DMP3056LDM-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-26

¥0.5476 

阶梯数 价格
100: ¥0.5476
200: ¥0.3534
1,500: ¥0.3066
1,645 对比
DMP3056LDM-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-26

暂无价格 0 对比
DMP3056LDM-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-26

暂无价格 0 对比

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