首页 > 商品目录 > > > > DMP10H400SK3-13代替型号比较

DMP10H400SK3-13  与  SPD15P10PLGBTMA1  区别

型号 DMP10H400SK3-13 SPD15P10PLGBTMA1
唯样编号 A-DMP10H400SK3-13 A36-SPD15P10PLGBTMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 128W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 240mΩ@5A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 42W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1490pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P 通道
封装/外壳 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 9A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 1.54mA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 62nC @ 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1239pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 17.5nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 200 毫欧 @ 11.3A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 15A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 100V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP10H400SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 当前型号
IRFR9120NTRPBF Infineon  数据手册 通用MOSFET

D-Pak

¥2.233 

阶梯数 价格
30: ¥2.233
100: ¥1.716
1,000: ¥1.496
2,000: ¥1.408
16,223 对比
IRFR6215TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥3.96 

阶梯数 价格
20: ¥3.96
100: ¥3.311
1,000: ¥3.003
2,000: ¥2.783
6,002 对比
IRFR5410TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥2.695 

阶梯数 价格
20: ¥2.695
100: ¥2.079
1,000: ¥1.804
2,000: ¥1.705
3,940 对比
IRFR9120NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
SPD15P10PLGBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD15P10PL G_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售