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DMP1022UFDEQ-7  与  DMP1022UFDE-7  区别

型号 DMP1022UFDEQ-7 DMP1022UFDE-7
唯样编号 A-DMP1022UFDEQ-7 A36-DMP1022UFDE-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN Single P-Channel 12 V 160 mOhm 38 nC 0.66 W Silicon SMT Mosfet - UDFN-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 16mΩ
上升时间 - 28ns
Qg-栅极电荷 - 28.4nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2953 pF @ 4 V -
栅极电压Vgs ±8V 350mV
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 42.6 nC @ 5 V -
封装/外壳 U-DFN2020-6(E 类) UDFN
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 9.1A(Ta) 9.1A
配置 - SingleQuadDrain
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 1.2V,4.5V
下降时间 - 93ns
漏源极电压Vds 12V 12V
Pd-功率耗散(Max) 660mW(Ta) 2.03W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 16mΩ@8.2A,4.5V -
典型关闭延迟时间 - 117ns
FET类型 P-Channel -
系列 - DMP10
通道数量 - 1Channel
驱动电压 1.2V,4.5V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 800mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2953pF @ 4V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 42.6nC @ 5V
典型接通延迟时间 - 20ns
库存与单价
库存 0 5,400
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥1.408
200+ :  ¥1.0846
1,500+ :  ¥0.9438
3,000+ :  ¥0.8206
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP1022UFDEQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

U-DFN2020-6(E类)

暂无价格 0 当前型号
DMP1022UFDE-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

UDFN

¥1.408 

阶梯数 价格
40: ¥1.408
200: ¥1.0846
1,500: ¥0.9438
3,000: ¥0.8206
5,400 对比
DMP1022UFDE-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

UDFN

暂无价格 0 对比
DMP1022UFDE-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

UDFN

暂无价格 0 对比

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