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DMNH6042SK3Q-13  与  AUIRLR024N  区别

型号 DMNH6042SK3Q-13 AUIRLR024N
唯样编号 A-DMNH6042SK3Q-13 A-AUIRLR024N
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 25A TO252 AUIRLR024N Series 55 V 65 mOhm Surface Mount HEXFET® Power MOSFET - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 65mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 45W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 50mΩ@6A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 584 pF @ 25 V -
栅极电压Vgs ±20V ±16V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 5V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 8.8 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 D-Pak
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 25A(Tc) 17A
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
驱动电压 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 480pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMNH6042SK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
AUIRLR024N Infineon  数据手册 功率MOSFET

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