首页 > 商品目录 > > > DMNH4011SK3Q-13代替型号比较

DMNH4011SK3Q-13  与  IRFR3504ZTRPBF  区别

型号 DMNH4011SK3Q-13 IRFR3504ZTRPBF
唯样编号 A-DMNH4011SK3Q-13 A-IRFR3504ZTRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 50A TO252 Single N-Channel 40 V 90 W 30 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 9mΩ@42A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 2.6W(Ta) 90W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 10mΩ@50A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1405 pF @ 20 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 25.5 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 D-Pak
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 50A(Tc) 77A
系列 - HEXFET®
驱动电压 10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1510pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 45nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1510pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 45nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMNH4011SK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
IRFR3504ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
TK50P04M1(T6RSS-Q) Toshiba  数据手册 通用MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
DMNH4011SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售