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DMNH4011SK3-13  与  TK40P04M1(T6RSS-Q)  区别

型号 DMNH4011SK3-13 TK40P04M1(T6RSS-Q)
唯样编号 A-DMNH4011SK3-13 A-TK40P04M1(T6RSS-Q)
制造商 Diodes Incorporated Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 50A TO252 MOSFET N-CH 40V 40A DP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V 40 V
Pd-功率耗散(Max) 2.6W(Ta) 47W(Tc)
产品状态 - 最后售卖
RdsOn(Max)@Id,Vgs 10mΩ@50A,10V 11 毫欧 @ 20A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1405 pF @ 20 V 1920 pF @ 10 V
Vgs(th) - 2.3V @ 200uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 25.5 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252-3 D-Pak
工作温度 -55℃~175℃(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 50A(Tc) 40A(Ta)
驱动电压 10V -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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