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DMNH4006SPSQ-13  与  IPC50N04S55R8ATMA1  区别

型号 DMNH4006SPSQ-13 IPC50N04S55R8ATMA1
唯样编号 A-DMNH4006SPSQ-13 A-IPC50N04S55R8ATMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 110A PWRDI5060-8 MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 42W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 1.6W(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 7mΩ@50A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2280 pF @ 25 V 1090pF @ 25V
栅极电压Vgs 20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 PowerDI5060-8 8-PowerTDFN
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 110A(Tc) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.4V @ 13uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 18nC @ 10V
驱动电压 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 5.8 毫欧 @ 25A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 50A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 7V,10V
漏源电压(Vdss) - 40V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMNH4006SPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI5060-8

暂无价格 0 当前型号
IPC50N04S55R8ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPC50N04S5-5R8_8-PowerTDFN

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