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DMNH4005SCT  与  IPP80N04S4L04AKSA1  区别

型号 DMNH4005SCT IPP80N04S4L04AKSA1
唯样编号 A-DMNH4005SCT A-IPP80N04S4L04AKSA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 71W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 165W(Tc) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 4mΩ@20A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2846 pF @ 20 V 4690pF @ 25V
栅极电压Vgs 20V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 48 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 150A(Tc) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 35uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 60nC @ 10V
驱动电压 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 4.3 毫欧 @ 80A,10V
Vgs(最大值) - +20V,-16V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 80A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 40V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMNH4005SCT Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
IRF1404PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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