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DMNH10H028SK3Q-13  与  IRLR2908  区别

型号 DMNH10H028SK3Q-13 IRLR2908
唯样编号 A-DMNH10H028SK3Q-13 A-IRLR2908
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 55A TO252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 30mΩ
漏源极电压Vds 100V 80V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 28mΩ@20A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2245 pF @ 50 V -
栅极电压Vgs ±20V 16V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 36 nC @ 10 V -
Qgd - 11.0nC
封装/外壳 TO-252-3 DPAK (TO-252)
Mounting - SMD
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -
连续漏极电流Id 55A(Tc) 39A
驱动电压 10V -
Ptot max - 120.0W
QG - 22.0nC
Tj max - 175.0°C
Budgetary Price €€/1k - 0.43
RthJC max - 1.3K/W
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMNH10H028SK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

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D-Pak

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