首页 > 商品目录 > > > > DMN63D1L-13代替型号比较

DMN63D1L-13  与  RK7002BMT116  区别

型号 DMN63D1L-13 RK7002BMT116
唯样编号 A-DMN63D1L-13 A3x-RK7002BMT116
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.4Ω@250mA,10V
上升时间 - 5 ns
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 370mW(Ta) 200mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 2Ω@500mA,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 30 pF @ 25 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
典型关闭延迟时间 - 18 ns
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 0.3 nC @ 4.5 V -
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23
工作温度 -55℃~150℃(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 380mA(Ta) 0.25A
系列 - RK
通道数量 - 1 Channel
驱动电压 5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.3V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 15pF @ 25V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,10V
下降时间 - 28 ns
典型接通延迟时间 - 3.5 ns
库存与单价
库存 0 15,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
3,000+ :  ¥0.1062
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN63D1L-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 当前型号
RK7002BMT116 ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.5967 

阶梯数 价格
260: ¥0.5967
500: ¥0.4819
1,000: ¥0.4584
2,000: ¥0.4231
4,000: ¥0.4231
95,735 对比
RK7002BMT116 ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.2295 

阶梯数 价格
220: ¥0.2295
1,500: ¥0.1436
3,000: ¥0.099
61,396 对比
RK7002BMT116 ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.1062 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.1062
15,000 对比
RK7002BMT116 ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.5261 

阶梯数 价格
1: ¥0.5261
100: ¥0.2809
3,000: ¥0.2031
13,946 对比
RK7002BMT116 ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.5967 

阶梯数 价格
260: ¥0.5967
500: ¥0.4819
1,000: ¥0.4584
2,000: ¥0.4231
4,000: ¥0.4231
4,778 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售