首页 > 商品目录 > > > > DMN6013LFGQ-13代替型号比较

DMN6013LFGQ-13  与  TPN14006NH,L1Q  区别

型号 DMN6013LFGQ-13 TPN14006NH,L1Q
唯样编号 A-DMN6013LFGQ-13 A-TPN14006NH,L1Q
制造商 Diodes Incorporated Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333 MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V 60 V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) 700mW(Ta),30W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs 13mΩ@10A,10V 14 毫欧 @ 6.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2577 pF @ 30 V 1300 pF @ 30 V
Vgs(th) - 4V @ 200uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 55.4 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V
封装/外壳 PowerDI3333-8 8-TSON Advance(3.1x3.1)
工作温度 -55℃~150℃(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10.3A(Ta),45A(Tc) 13A(Ta)
驱动电压 4.5V,10V -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6.5V,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN6013LFGQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 当前型号
DMN6013LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

PowerDI

暂无价格 0 对比
DMN6013LFGQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

暂无价格 0 对比
DMN6013LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

PowerDI

暂无价格 0 对比
DMN6013LFGQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

暂无价格 0 对比
TPN14006NH,L1Q Toshiba  数据手册 通用MOSFET

8-TSONAdvance(3.1x3.1)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售