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DMN6013LFG-13  与  IRFH5406TRPBF  区别

型号 DMN6013LFG-13 IRFH5406TRPBF
唯样编号 A-DMN6013LFG-13 A-IRFH5406TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333 Single N-Channel 60 V 3.6 W 23 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 14.4mΩ@24A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) 3.6W(Ta),46W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 13mΩ@10A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2577 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 55.4 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI3333-8 8-PQFN(5x6)
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10.3A(Ta),45A(Tc) 11A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1256pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 35nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1256pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 35nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN6013LFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 当前型号
AON7246E AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

¥1.793 

阶梯数 价格
30: ¥1.793
100: ¥1.375
1,250: ¥1.144
1,507 对比
IRFH5406TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比
DMN6013LFGQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

暂无价格 0 对比
DMN6013LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

PowerDI

暂无价格 0 对比
DMN6013LFGQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

暂无价格 0 对比

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