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DMN4030LK3-13  与  NVD5117PLT4G-VF01  区别

型号 DMN4030LK3-13 NVD5117PLT4G-VF01
唯样编号 A-DMN4030LK3-13 A-NVD5117PLT4G-VF01
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 9.4A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-252-3 TO252
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -
连续漏极电流Id 9.4A(Ta) -
驱动电压 4.5V,10V -
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 2.14W(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 30mΩ@12A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 604 pF @ 20 V -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 12.9 nC @ 10 V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN4030LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
NVD5117PLT4G-VF01 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO252

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NVD5117PLT4G-VF01 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO252

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DMN4030LK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252,(D-Pak)

暂无价格 0 对比

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