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DMN4008LFG-7  与  AONR66406  区别

型号 DMN4008LFG-7 AONR66406
唯样编号 A-DMN4008LFG-7 A-AONR66406
制造商 Diodes Incorporated AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6.1mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) 27W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 7.5mΩ@10A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3537 pF @ 20 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 74 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI3333-8 DFN 3x3 EP
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 14.4A(Ta) 30A
驱动电压 3.3V,10V -
库存与单价
库存 0 8,585
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN4008LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 当前型号
AONR66406 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

暂无价格 8,585 对比
AONR66406 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

¥1.551 

阶梯数 价格
40: ¥1.551
100: ¥1.243
730 对比
DMN4008LFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 对比

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