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DMN3067LW-7  与  RTF025N03TL  区别

型号 DMN3067LW-7 RTF025N03TL
唯样编号 A-DMN3067LW-7 A-RTF025N03TL
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 N-Channel 0.8 W 30 V 98 mOhm Surface Mount 2.5 V Drive MosFet - TUMT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 67mΩ@2.5A,4.5V 67mΩ@2.5A,4.5V
上升时间 5.2ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 500mW 800mW(Ta)
Qg-栅极电荷 4.6nC -
栅极电压Vgs ±12V 12V
典型关闭延迟时间 15ns -
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 SOT-323 TUMT
工作温度 -55°C~150°C 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.6A 2.5A
系列 DMN3067 -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA 1.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 447pF @ 10V 270pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.6nC @ 4.5V 5.2nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 2.5V,4.5V
下降时间 6.1ns -
典型接通延迟时间 3.8ns -
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥5.3039
100+ :  ¥3.0073
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3067LW-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C SOT-323 2.6A 500mW 67mΩ@2.5A,4.5V 30V ±12V

暂无价格 0 当前型号
DMN3067LW-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 500mW(Ta) ±12V SOT-323 -55℃~150℃(TJ) 30V 2.6A(Ta)

¥0.759 

阶梯数 价格
70: ¥0.759
100: ¥0.6188
500: ¥0.5629
2,500: ¥0.5213
5,000: ¥0.4862
7,765 对比
AO7400 AOS  数据手册 小信号MOSFET

SC70-3 N-Channel 30V ±12V 1.7A 0.35W 55mΩ@1.7A,10V -55℃~150℃

¥0.891 

阶梯数 价格
60: ¥0.891
200: ¥0.6138
479 对比
RTF025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

12V 800mW(Ta) 67mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TUMT N-Channel 30V 2.5A

¥5.3039 

阶梯数 价格
1: ¥5.3039
100: ¥3.0073
100 对比
RTF025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

12V 800mW(Ta) 67mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TUMT N-Channel 30V 2.5A

¥1.0927 

阶梯数 价格
1: ¥1.0927
25: ¥0.9419
100: ¥0.8118
100 对比
RTF025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

12V 800mW(Ta) 67mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TUMT N-Channel 30V 2.5A

暂无价格 40 对比

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