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DMN3033LSNQ-7  与  DMN3033LSN-7  区别

型号 DMN3033LSNQ-7 DMN3033LSN-7
唯样编号 A-DMN3033LSNQ-7 A-DMN3033LSN-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 6A SC59 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.6 mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 30mΩ@6A,10V
上升时间 - 7 ns
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 755 pF @ 10 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 10.5 nC @ 5 V -
封装/外壳 SC-59-3 SC-59
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6A(Ta) 6A
配置 - Single
长度 - 3 mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
高度 - 1.1 mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W(Ta) 1.4W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 30mΩ@6A,10V -
典型关闭延迟时间 - 63 ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - DMN
通道数量 - 1 Channel
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 755pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10.5nC @ 5V
典型接通延迟时间 - 11 ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3033LSNQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SC-59-3

暂无价格 0 当前型号
DMN3033LSN-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

3mm SC-59

¥0.7876 

阶梯数 价格
70: ¥0.7876
200: ¥0.6422
1,500: ¥0.585
3,000: ¥0.546
6,457 对比
DMN3033LSN-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

3mm SC-59

暂无价格 0 对比
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