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DMN3018SSS-13  与  IRF7403TRPBF  区别

型号 DMN3018SSS-13 IRF7403TRPBF
唯样编号 A-DMN3018SSS-13 A36-IRF7403TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 22mΩ@4A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W(Ta) 2.5W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 21mΩ@10A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 697 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±25V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 13.2 nC @ 10 V -
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 7.3A(Ta) 8.5A
系列 - HEXFET®
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1200pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 57nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1200pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 57nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3018SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

暂无价格 0 当前型号
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¥3.3397 

阶梯数 价格
490: ¥3.3397
1,000: ¥2.628
1,500: ¥2.0552
3,000: ¥1.6031
0 对比
AO4496 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比

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