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DMN3016LPS-13  与  BSC120N03MSGATMA1  区别

型号 DMN3016LPS-13 BSC120N03MSGATMA1
唯样编号 A-DMN3016LPS-13 A-BSC120N03MSGATMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI5060 MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta),28W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 1.18W(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 12mΩ@20A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1415 pF @ 15 V 1500pF @ 15V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 25.1 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI5060-8 8-PowerTDFN
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10.8A(Ta) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20nC @ 10V
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 12 毫欧 @ 30A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 11A(Ta),39A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3016LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI5060-8

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BSC120N03MSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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