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DMN3010LK3-13  与  NTD4302T4G  区别

型号 DMN3010LK3-13 NTD4302T4G
唯样编号 A-DMN3010LK3-13 A32-NTD4302T4G
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 13.1A/43A TO252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 1.04W(Ta),75W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 10 毫欧 @ 20A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.6W(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 9.5mΩ@18A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2075 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 37 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 DPAK
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 13.1A(Ta),43A(Tc) 8.4A(Ta),68A(Tc)
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2400pF @ 24V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 80nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2400pF @ 24V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 80nC @ 10V
库存与单价
库存 0 20
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥5.571
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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