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DMN2026UVT-13  与  RQ6C050UNTR  区别

型号 DMN2026UVT-13 RQ6C050UNTR
唯样编号 A-DMN2026UVT-13 A-RQ6C050UNTR
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 30mΩ@5A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.15W(Ta) 1.25W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 24mΩ@6.2A,4.5V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 887 pF @ 10 V -
栅极电压Vgs ±10V ±10V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 18.4 nC @ 8 V -
封装/外壳 TSOT-23-6 SOT-23-6
工作温度 -55℃~150℃(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6.2A(Tc) 5A(Ta)
驱动电压 2.5V,4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 1.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 900pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 12nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 75
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥5.3637
100+ :  ¥3.1002
1,500+ :  ¥1.9656
3,000+ :  ¥1.4211
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN2026UVT-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TSOT-23-6

暂无价格 0 当前型号
RQ6C050UNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-6

¥1.0829 

阶梯数 价格
140: ¥1.0829
500: ¥1.0733
1,000: ¥1.0733
1,674 对比
RQ6C050UNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-6

暂无价格 200 对比
RQ6C050UNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-6

¥5.3637 

阶梯数 价格
1: ¥5.3637
100: ¥3.1002
1,500: ¥1.9656
3,000: ¥1.4211
75 对比
DMN2026UVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TSOT-23

暂无价格 0 对比
DMN2026UVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TSOT-23

暂无价格 0 对比

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