首页 > 商品目录 > > > DMN2022UFDF-7代替型号比较

DMN2022UFDF-7  与  FDMA410NZ  区别

型号 DMN2022UFDF-7 FDMA410NZ
唯样编号 A-DMN2022UFDF-7 A32-FDMA410NZ
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN N-Channel 20 V 23 mO 2.4 W PowerTrench® Mosfet - MICROFET-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 2.4W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 23 毫欧 @ 9.5A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 660mW(Ta) 2.4W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 22mΩ@4A,4.5V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 907 pF @ 10 V -
栅极电压Vgs ±8V ±8V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 18 nC @ 8 V -
封装/外壳 U-DFN2020-6(F 类) 6-VDFN 裸露焊盘
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 7.9A(Ta) 9.5A(Ta)
系列 - PowerTrench®
驱动电压 1.5V,4.5V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1080pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 1.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1080pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 200
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥0.5334
25+ :  ¥0.4599
100+ :  ¥0.3965
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN2022UFDF-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

U-DFN2020-6(F类)

暂无价格 0 当前型号
FDMA410NZ ON Semiconductor 功率MOSFET

MLP 6-MicroFET(2x2) 6-VDFN裸露焊盘

¥0.5334 

阶梯数 价格
1: ¥0.5334
25: ¥0.4599
100: ¥0.3965
200 对比
DMN2022UFDF-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

U-DFN2020-6(F类)

暂无价格 0 对比
PMPB15XN,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PMPB15XN_SOT1220

¥1.3875 

阶梯数 价格
580: ¥1.3875
1,000: ¥1.0756
1,500: ¥0.8816
3,000: ¥0.7942
0 对比
PMPB23XNEZ Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PMPB23XNE_SOT1220

¥1.2612 

阶梯数 价格
580: ¥1.2612
1,000: ¥0.9777
1,500: ¥0.8014
3,000: ¥0.722
0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售