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DMN10H220LQ-13  与  IRLML0100TRPBF  区别

型号 DMN10H220LQ-13 IRLML0100TRPBF
唯样编号 A-DMN10H220LQ-13 A-IRLML0100TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3 Single HexFet 100 V 1.3 W 2.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - MICRO-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 220mΩ@1.6A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 1.3W(Ta) 1.3W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 220mΩ@1.6A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 401 pF @ 25 V -
栅极电压Vgs ±16V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 8.3 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 1.6A(Ta) 1.6A
驱动电压 4.5V,10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN10H220LQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 当前型号
DMN10H220LQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥0.6556 

阶梯数 价格
80: ¥0.6556
200: ¥0.5343
1,055 对比
IRLML0100TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比
DMN10H220LQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 对比
IRLML0100 Infineon  数据手册 通用MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比

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