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DMN10H220L-7  与  IRLML0100TRPBF  区别

型号 DMN10H220L-7 IRLML0100TRPBF
唯样编号 A-DMN10H220L-7 A-IRLML0100TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single HexFet 100 V 1.3 W 2.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - MICRO-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 220mΩ@1.6A,10V 220mΩ@1.6A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 1.3W(Ta) 1.3W
栅极电压Vgs ±16V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 1.6A 1.6A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 401pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.3nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN10H220L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 当前型号
IRLML0100TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.6853 

阶梯数 价格
80: ¥0.6853
200: ¥0.5577
1,500: ¥0.5083
3,000: ¥0.4745
15,728 对比
IRLML0100TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比
IRLML0100TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比
DMN10H220L-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 对比

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