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DMN10H170SK3-13  与  IRLR120NTRPBF  区别

型号 DMN10H170SK3-13 IRLR120NTRPBF
唯样编号 A-DMN10H170SK3-13 A-IRLR120NTRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3 Single N-Channel 100V 48 W 20 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 185mΩ@6A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 42W(Tc) 48W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 140mΩ@5A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1167 pF @ 25 V -
栅极电压Vgs ±20V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 9.7 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 D-Pak
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 12A(Tc) 10A
系列 - HEXFET®
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 440pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 440pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20nC @ 5V
库存与单价
库存 0 2,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN10H170SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
STD6NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 2,500 对比
IRLR120NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 2,000 对比
AOD2922 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.1633 

阶梯数 价格
1: ¥1.1633
100: ¥0.8382
1,000: ¥0.7215
2,500: ¥0.57
283 对比
AOD2922 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.606 

阶梯数 价格
40: ¥1.606
100: ¥1.232
159 对比
STD6NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比

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