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DMN10H170SFGQ-7  与  DMN10H170SFG-7  区别

型号 DMN10H170SFGQ-7 DMN10H170SFG-7
唯样编号 A-DMN10H170SFGQ-7 A36-DMN10H170SFG-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 122mΩ@3.3A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 940mW(Ta) 940mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 122mΩ@3.3A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 870.7 pF @ 25 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 14.9 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI3333-8 8-PowerVDFN
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.9A(Ta),8.5A(Tc) 2.9A(Ta),8.5A(Tc)
驱动电压 4.5V,10V -
湿气敏感性等级(MSL) - 1(无限)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 870.7pF @ 25V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14.9nC @ 10V
库存与单价
库存 0 1,850
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥2.013
100+ :  ¥1.54
1,000+ :  ¥1.298
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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PowerDI3333-8

暂无价格 0 当前型号
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PowerDI3333-8

¥1.562 

阶梯数 价格
40: ¥1.562
100: ¥1.199
750: ¥1.0021
1,500: ¥0.9108
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